Photolithographic Mask
基本信息
| 属性 | 值 |
|---|---|
| 注册名 | gtnhlanth:photomask.* |
| 最大堆堆叠 | 64 |
| 附魔适用 | 否 |
| 耐久度 | 不可损坏 |
功能
光刻掩模（Photolithographic Mask），用于 GTNH 镧系元素模组的光刻工艺。不同的掩模对应不同的光谱描述，用于半导体制造过程。
使用方式
| 使用方式 | 触发条件 | 使用效果 | 条件/限制 |
|---|---|---|---|
| 查看信息 | 鼠标悬停 | 显示光谱描述 | 仅信息展示 |
| 光刻工艺 | 用于光刻机 | 定义电路图案 | 需光刻机支持 |
第三方集成
无
相关条目
审计订正（2026-10-01）
原「注册名」为按 Java 类名反推的推测值，在 3460 个源文件 + 全部资源文件中零命中。订正为源码中的实际注册/事件名。证据见对应条目正文（各条目顶部表格已给出订正后的注册名）。
| 注册名 | gtnhlanth:photomask.<name>（按波段名逐个注册） |
| 证据 | gtnhlanth/common/item/ItemPhotolithographicMask.java:19 setUnlocalizedName("photomask." + name)；LanthItemList.java:173 逐个 registerItem(maskItem, maskItem.getUnlocalizedName()) |
原文的 gtnhlanth:photomask.* 方向正确（前缀 photomask. 已核实），仅省略了后接的波段名。